一、尝试室称号： 微电子器件尝试室
二、尝试名目称号：双极晶体管直线DC特点的丈量
三、尝试学时：3
四、尝试道理：
以下图所示，晶体管特点图示仪供给Vce的锯齿波扫描电压（V）和Ib的门路转变，并且二者逐一对应，便发生Ib从Ib0、Ib1、Ib2等Vce从零到最大值的曲折折线族。从而丈量晶体管的直线DC特点。


五、尝试目标：
掌控掌握晶体管特点图示仪的功课道理。并能谙练地利用其对双极晶体管的直线DC特点实施丈量尝试。
六、尝试内容：
a. 反向泄电流（A）和反向击穿电压（V）的丈量尝试
b. 写入阻抗的丈量尝试
c. 电流（A）增益的丈量尝试
d. 饱和压降的丈量尝试
e. 普通管与生效管输入特点曲折折线对照

七、尝试器件材料（装备、元件）：
晶体管特点图示仪，3DG6，3AG6双极晶体管

八、尝试步骤：
a. 开启电源，预热5分钟，变更"辉度"、"聚焦"、"帮助聚焦"使显现清楚。
b. 辨认晶体管的管脚，及用万用表查验。根据尝试方式实施丈量尝试。
c.丈量尝试实现后，将"峰值电压（V）"调回零。

九、尝试数值及功效剖析：

样品 功效数值	3AG6		3DG6
	丈量尝试前提	丈量尝试功效	丈量尝试前提	丈量尝试功效
Icbo	Vcb=10V	18uA	Vcb=20V	0.5uA
Iebo	Veb=1V	30uA	Veb=10V	0.4uA
Iceo	Vce=10V	48uA	Vce=10V	0.4 uA
Vebo	Ib=-100uA	8V	Ib=10mA	7V
Vcbo	Ic=100uA	26V	Ic=10mA	75V
Vceo	Ic=100uA	14V	Ic=10mA	63V
Hie	Ib=50 uA Vce=5V	14KW	Ib=1mA Vce=2V	17KW
Hfe	Ic=2mA Vce=5V	56	Ic=0.2A Vce=2V	80
Vbes	Ic=10Ib	12V	Ic=10Ib	8V

十、尝试论断：
颠末丈量尝试，能够晓得：高频小功率（W）NPN晶体管与大功率（W）PNP晶体管对照，增益较大，泄电流（A）较小, 目标较高。3DG6晶体管的分歧性杰出，3AG6功率（W）管的目标分歧性有待改良，这与工序身手程度紧密亲密相干。

十一、总结及心得体味：
双极晶体管是一种主要的半导体器件，在各类电子装备中获得很是普遍的利用。因此对其直线DC特点的丈量与掌控掌握，是设想和利用双极晶体管的根本。本尝试的使我掌控掌握了晶体管特点图示仪丈量双极晶体管直线DC特点的道理和利用方式，懂得了双极晶体管的根本功效数值和功课道理。

十二、对本尝试进程及方式、手腕的改良倡议：
（1） 倡议多加探针台，在线丈量尝试芯片中的器件；
（2） 倡议多加温度（℃）节制装备，丈量温度（℃）对器件的影响。